| 品牌 | 英飞凌Infineon |
|---|---|
| Item | IRS21867 |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT |
| 电源电压 | 10V~20V |
| 峰值灌电流 | 4A |
| 上升时间 | 22ns |
| 下降时间 | 18ns |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
Infineon IRS21867
¥12.87
IRS21867 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高低压侧参考输出通道。
输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术实现了坚固耐用的
单片结构。低 VCC 工作允许在电池供电应用中使用。逻辑输入
逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出,逻辑电压低至 3.3 V。输出驱动器采用高
脉冲电流缓冲级,旨在将驱动器的交叉传导降至最低。浮动通道可用于
驱动 N 沟道功率 MOSFET 或高压侧配置的 IGBT,工作电压高达 600V。





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