英飞凌Infineon IRS21171

¥7.95

该系列器件采用了超级沟槽II技术,该技术经过独特的优化,可提供最有效的高频。
独特的优化技术,提供最有效的高频
开关性能。导通和开关功率损失
损耗都降到了最低,因为它的RDS(ON)和Qg组合极低。
RDS(ON)和Qg。该器件是高频开关的理想选择。
和同步整流

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描述

品牌英飞凌Infineon
型号IRS21171
负载类型MOSFET;IGBT
电源电压10V~20V
峰值灌电流600mA
上升时间75ns
下降时间35ns
工作温度-40℃~+125℃

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